Главная Контакт Ссылки
350 Ваттный усилитель мощности на полевых транзисторах Версия для печати
Написал Карел Бартон   
вторник, 23 Сентябрь 2003
Рис. 1
крупнее

Схема High-End УМЗЧ (рис.1) выполнена на полевых транзисторах с гексагональной структурой (HEXFET фирмы International Rectifier). Входные каскады выполнены на дискретных биполярных транзисторах с использованием симметричной дифференциально-каскодной схемотехники (Т1 - Т12) с активными генераторами тока (Т14, Т16, Т18, Т19), благодаря чему практически устранены проявления нелинейности, связанные с зависимостью коэффициента передачи и емкостей p-n-переходов от тока коллектора и напряжения коллектор-база. Высокая эффективность термостабилизации режимов мощных полевых транзисторов достигнута благодаря применению в качестве датчика температуры полевого транзистора Т22, а за «нулем» по постоянному току на выходе следит специальный каскад на ОУ I01.

На нагрузке 4 Ома усилитель развивает номинальную мощность 350 Вт при коэффициенте гармоник не более 0,05% в диапазоне частот 20 Гц - 20 кГц, неравномерности АЧХ не более 1 дБ в диапазоне от 2 Гц до 350 кГц, отношении сигнал/шум 110 дБ, коэффициенте демпфирования на частоте 1 кГц не менее 400, скорости нарастания выходного напряжения 400 В/мкс и максимальном импульсном выходном токе 150 A

Prakticka elektronika A Radio № 7 1997, с.9 - 13
Радиохоббу

< Пред.
up Главная | Новости | Усилители мощности | Предусилители | Акустика | Источники сигнала | FAQ | Форум | Карта сайта up
 

Mambo is Free Software released under the GNU/GPL License.