350 Ваттный усилитель мощности на полевых транзисторах |
|
Написал Карел Бартон
|
вторник, 23 Сентябрь 2003 |
Схема High-End УМЗЧ (рис.1) выполнена на полевых транзисторах с гексагональной структурой (HEXFET фирмы International Rectifier). Входные каскады выполнены на дискретных биполярных транзисторах с использованием симметричной дифференциально-каскодной схемотехники (Т1 - Т12) с активными генераторами тока (Т14, Т16, Т18, Т19), благодаря чему практически устранены проявления нелинейности, связанные с зависимостью коэффициента передачи и емкостей p-n-переходов от тока коллектора и напряжения коллектор-база. Высокая эффективность термостабилизации режимов мощных полевых транзисторов достигнута благодаря применению в качестве датчика температуры полевого транзистора Т22, а за «нулем» по постоянному току на выходе следит специальный каскад на ОУ I01.
На нагрузке 4 Ома усилитель развивает номинальную мощность 350 Вт при коэффициенте гармоник не более 0,05% в диапазоне частот 20 Гц - 20 кГц, неравномерности АЧХ не более 1 дБ в диапазоне от 2 Гц до 350 кГц, отношении сигнал/шум 110 дБ, коэффициенте демпфирования на частоте 1 кГц не менее 400, скорости нарастания выходного напряжения 400 В/мкс и максимальном импульсном выходном токе 150 A
Prakticka elektronika A Radio № 7 1997, с.9 - 13
Радиохоббу
|